В 2014 году исследователи из университета Карнеги-Меллона разработали атаку Rowhammer. Ее суть сводилась к тому, что определенное воздействие на ячейки памяти может привести к тому, что электромагнитное излучение повлияет на соседние ячейки, и значения битов в них изменятся.

Новое исследование компании Third I/O показало, что атаки такого рода могут влиять также на новейшую память DDR3 и DDR4.

Первыми работающий эксплоит для Rowhammer в 2015 году показали специалисты Google Project Zero. Следом за ними группа исследователей из Франции и Австрии продемонстрировала (PDF) эксплуатацию уязвимости с пользованием кода на JavaScript. Тогда сообщалось, что перед такими атаками уязвима практически любая память DDR3, пишет xakep.ru.

Новое исследование компании Third I/O было представлено на конференции Semicon China в минувшие выходные. Оказалось, что проблема Rowhammer распространяется на новую память DDR3, а также  DDR4, невзирая на все принятые меры безопасности. Эксперты рассказали, что им даже удалось выявить комбинацию данных, при помощи которой можно воздействовать на DDR4 наиболее эффективно, – она позволяет добиваться ошибок на 50% чаще, чем случайная  комбинация. Отчет гласит:

Тем не менее, эксперты пишут, что это вовсе не универсальное решение: учитывая все различия архитектур, убийственная комбинация должна быть специфична и уникальна для каждой системы. Приведенный выше пример тоже показал себя лучше случайных комбинаций далеко не во всех случаях. Поэтому основным инструментом для проведения тестов все же должны оставаться случайные комбинации, считают в Third I/O.

Сообщается, что специалисты Third I/O протестировали двенадцать различных чипов DDR4 (включая Micron и Crucial Ballistix) и успешно скомпрометировали восемь из них. Устойчивость к атаке продемонстрировали G.Skill и Geil Super.