Эксперты разработали зарядное устройство для взлома iOS

Эксперты разработали зарядное устройство для взлома iOS

 Исследователи из Технологического института Джорджии Билли Лао (Billy Lau), Йонджин Дженг (Yeongjin Jang) и Ченгу Сонг (Chengyu Song) разработали зарядное устройство, которое, по их словам, позволяет скомпрометировать любое устройство под управлением новейших версий мобильной операционной системы iOS. 

 

Как утверждают исследователи, им удалось обойти системы защиты iOS и внедрить в систему произвольную программу. По словам исследователей, созданное ими устройство, которое они назвали Mactans, позволяет взломать практически любое устройство под управлением новейших версий iOS всего за пару минут. Одной из главных опасностей такого метода является то, что его можно с успехом применять на неразлоченых устройствах и оно не требует при этом взаимодействия пользователя с системой.

По словам экспертов компании Sophos, на базе такого устройства, приложив минимум усилий и минимум финансовых вложений, вполне возможно создать «вредоносное» устройство, например, зараженное трояном, которое будет практически неотличимо от стандартных зарядных устройств. Продавая такие зарядные устройства по заниженным ценам на торговых площадках, вроде eBay, киберпреступники смогут получить практически полный контроль над телефоном жертвы и звонить на платные номера или же похищать конфиденциальные данные, хранящиеся на устройстве.

По утверждению Йонджин Дженга, исследователи сообщили Apple о своей разработке, однако ответа пока не получили.

Известно, что «вредоносное» зарядное устройство его создатели планируют представить на конференции Black Hat USA 2013.

Стоимость DRAM за 1 квартал удвоится, а NAND подорожает на 50-60%

Согласно исследованию TrendForce, в первом квартале 2026 года цены на чипы оперативной памяти DRAM по сравнению с предыдущими тремя месяцами вырастут почти вдвое, а стоимость микросхем NAND Flash, используемых в накопителях, увеличится на 50–60%. Это самый высокий квартальный темп роста цен на эти категории продукции за весь период наблюдений.

Как следует из опубликованного сегодня отчёта TrendForce, ключевой причиной стал продолжающийся ажиотажный спрос на высокопроизводительные модули памяти, которые активно используются в серверных платформах для развёртывания сервисов с искусственным интеллектом.

Повышенный спрос привёл к серьёзному дисбалансу на рынке электронных компонентов и дефициту целого ряда позиций. В частности, производитель памяти Micron в декабре прекратил отгрузки продукции для розничного рынка, сосредоточившись на корпоративных заказах.

В отчёте отмечается, что выводы сделаны на основе анализа динамики контрактных цен производителей. В TrendForce не исключают, что до конца квартала стоимость памяти может вырасти ещё сильнее. При этом уже достигнутые уровни — 90–95% для DRAM и 50–60% для NAND Flash — являются рекордными показателями квартального роста за всё время наблюдений.

Рост контрактных цен во многом обусловлен тем, что крупнейшие поставщики ИИ-сервисов и производители серверов в Северной Америке и Китае закупают память и накопители напрямую у вендоров по долгосрочным контрактам. Обострение конкуренции между покупателями при ограниченном предложении дополнительно разгоняет цены.

Впрочем, одним из неожиданных последствий этого кризиса может стать улучшение качества программного кода и снижение требований программного обеспечения к объёму оперативной памяти.

RSS: Новости на портале Anti-Malware.ru